Teade

Collapse
No announcement yet.

Lateral mosfet vintage power amp?

Collapse
X
 
  • Filter
  • Kellaaeg
  • Show
Clear All
new posts

    #46
    Vs: Lateral mosfet vintage power amp?

    Bipolaartransistori teemal:

    Wikipeedia:

    ...That is, the collector current is approximately Beta times the base current.
    Some basic circuits can be designed by assuming that the emitter-base voltage is approximately constant
    and that collector current is beta times the base current.
    However, to accurately and reliably design production BJT circuits,
    the voltage-control (for example, Ebers-Moll) model is required.

    Small Signal Audio Design:

    There is one thing to get straight first:
    The bipolar junction transistor is a voltage-operated device.
    What counts is the base-emitter voltage, or Vbe.
    Certainly a BJT needs base current to flow
    for it to operate, but this is really an annoying
    imperfection rather than the basis of operation.
    I appreciate this may take some digesting; far too
    many discussions of transistor action say
    something like: "a small current flowing into the base
    controls a much larger current flowing
    into the collector". In fact the only truly
    current-operated amplifying device that comes to
    mind is the Hall-effect multiplier.
    ---------------------------------------


    Baasivooluga kollektorivoolu tüürimine ei ole BJT fundamentaalne tööpõhimõte !


    Sedasi ju töötab näiteks selline võimendusaste:

    Transistor on U->I muundaja ja takisti Rc on I->U muundaja.
    Üldine pingevõimendus:
    -Gv=gm*rm.

    Mõelge näiteks küllastuse tingimustele:
    Ub>Ue, Ub>Uc
    (Siin on veel tingimused Ub ei tohi ületada Uc ~0.6V ja Ub mitte üle Ue Ubeo võrra).
    http://hparchive.com/
    https://worldradiohistory.com/index.htm

    Comment


      #47
      Vs: Lateral mosfet vintage power amp?

      Baasivoluga kollektori voolu tüürimine on BJT fundamentaalne tööpõhimõte.
      Krdi imelik, et sellel teemal siin foorumis üldse peab vaidlema.
      Näita mõni bipolaartransistori andmeleht, kus on Ik ja Ube sõltuvuse graafik.
      Või näita mõni BJT andmeleht, kus võimendus antakse pingevõimendsusena.

      Comment


        #48
        Vs: Lateral mosfet vintage power amp?

        Esmalt postitatud moi poolt Vaata postitust
        Näita mõni bipolaartransistori andmeleht, kus on Ik ja Ube sõltuvuse graafik.
        Või näita mõni BJT andmeleht, kus võimendus antakse pingevõimendsusena.
        Pingevõimendusena ei saa anda sest U->I pole ju pingevõimendus.

        Siin on näited:
        http://rtellason.com/transdata/2sc2785.pdf
        http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/30356/TOSHIBA/2SC5200.html
        http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/81919/ETC/2SC1008.html




        Mind hakkab see juba huvitama...teab keegi lisada kuidas TTÜs bipolaartransistori tööpõhimõtet käsitletakse ?
        viimati muutis kasutaja Starfish; 21 01 2017, 17:27.
        http://hparchive.com/
        https://worldradiohistory.com/index.htm

        Comment


          #49
          Vs: Lateral mosfet vintage power amp?

          Esmalt postitatud Starfish poolt Vaata postitust
          Pingevõimendusena ei saa anda sest U->I pole ju pingevõimendus.

          Mind hakkab see juba huvitama...teab keegi lisada kuidas TTÜs bipolaartransistori tööpõhimõtet käsitletakse ?
          Näita siis varianti kus antakse BJT tõus (dI/dU).

          Seda sa ehk märkasid, et kahel sinu pakutud transi andmelehel on Ik ja Ube graafikus Ik logaritmilises skaalas aga Ube lineaarses skaalas, ehk sealt ei saa lineaarset võimendajat vaid logaritmija.

          Siis kui mina seal käisin, õpetati küll, et BJT on voolu võimendaja, seepärast näidatakse ka tema võimendust hfe või h21 või beetana (=dIk/dIb).

          Comment


            #50
            Vs: Lateral mosfet vintage power amp?

            Log. skaalas on seepärast, et Ic sõltuvus Ube-st on exponent.



            Üsna sarnane on valem dioodi jaoks, milles ongi ainult p-n.
            Et räni dioodis tekiks juhtivus on ju vaja kuskil 0.6V pinget tema otstele, pinge! mitte vool.

            BJT beetat võib käsitleda kasutegurina sest vool Ib on ju raisatud ja selle osa koguvoolust Ie määrab palju vajalikule voolule Ic lisandub parasiitset voolu Ib.
            Sellega seonduvad kindlasti need mõisted:
            Emitter Injection Efficiency
            Base Transport Factor

            Näide:
            Ie=110mA
            Ic=100mA

            alfa=Ic/Ie =100/110=0.909

            Ib=Ic((1/alfa)-1)=
            1/0.909=1.1001
            1.1001-1=0.1001
            0.1001*100=10.01
            Ib~10mA

            Beta=alfa/(1-alfa)
            0.909/(1-0.909)=9.989

            Sedasi tuleb välja Ib ja Beta.

            Ib on ju p-n ala ebaperfektsuse tagajärg, sellisena pole BJT "ideaalne" funktsionaalsus (ideaalne oleks ju FETi sarnane toimimine, kus tüürelektroodilt on voolu "leke" tühiselt väike).
            Ib on see on osa laengukandjatest, mis jääb kollektoril kogumata.

            Katkend raamatust:
            The Art Of Electronics:


            ...We thought of the transistor
            as a current amplifier whose input circuit behaved like a
            diode. That’s roughly correct, and for some applications
            it’s good enough. But to understand differential amplifiers,
            logarithmic converters, temperature compensation, and
            other important applications, you must think of the transistor
            as a transconductance device - collector current is
            determined by base-to-emitter voltage.


            ...it is important to
            realize that the collector current is accurately determined
            by the base-emitter voltage, rather than by the base current
            (the base current is then roughly determined by Beta).
            -------------------------------------------------------------

            Vigadeparandus:
            Esmalt postitatud Starfish poolt Vaata postitust
            -Gv=gm*rm.
            -Gv=gm*-rm.
            http://hparchive.com/
            https://worldradiohistory.com/index.htm

            Comment


              #51
              Vs: Lateral mosfet vintage power amp?

              Esmalt postitatud a1 poolt Vaata postitust
              Saan ma õieti aru, et tegemist on MOP-transistoritega (KP304, KP904)?
              Kas neid võib taaskasutuse mõttes kuskilt (olme)elektroonikast leida?
              Mul on eri tüüpi vene väljakaid: KP103, 301, 302, 303, 304, 305, 307, 312, 313, 350, 901, 905.
              Lisaks on ÜKS väljakad 3P320, 325, 326, 343. Kõik on uued, paljud eri tähtedega, tähisega K või 2, 3. ilmselt on veel üksikuid ja erinevaid, mis pole arvutis kirjas.

              Comment


                #52
                Vs: Lateral mosfet vintage power amp?

                Siin üks pilt mudelist:



                Teemaga haakuv video: (pikk ja põhjalik seletus).
                https://www.youtube.com/watch?v=yiX3f_awtYQ

                Mul oli see teema arutusel ka Hinfield Hill-iga Harvardist.
                (põhjus polenud see vaid skeemi versioonide küsimus raamatust).
                Tema kommentaar sellele oli et seletage kuidas töötab voolupeegel või differentsiaalvõimendi kui BJT pole pingega kontrollitav.
                --------------------------------------------


                Eelastmed lõppastmete ees pigem isoleerivad lõppastme pingevõimenduse osast.
                See pole ju uudis kellegile, et suure võimsusega bipolaaridel on võiksem Beta ja
                see vool koormaks pingevõimenduse üle.

                Siin RU101 skeemiga näide (hea kasutada, kõigile tuttav).
                Voolupeegli väljundpinge on 1.8V (3*0.6V Ube).
                Antakse eelpinge, et lõppastmed oleksid vajalikus töörežiimis.
                "Voolupiiramine", mis on tegelikult lõppastmete eelpinge vähendamine
                toimib ju sedasi (VT9 kaudu).
                Punktide A ja B vaheline takistus väheneb (õigem oleks et juhtivus suureneb),
                nüüd et sama voolu hoida, väheneb voolupeegli väljundpinge.
                (I=U/R) -> kui I peab olema konstantne ja takistus väheneb peab vähenema ka pinge.


                Kui nüüd mõelda et kuidas ma sinna selle vajaliku Ube tekitan siis on asi segane ja sellepärast on baasivoolu kaudu tegelikult ikkagi lihtsam arvutada...selles see vahe ongi.

                Selle teema mõte pole kedagi rumalana näidata vaid asjas selgust saada.
                http://hparchive.com/
                https://worldradiohistory.com/index.htm

                Comment


                  #53
                  Vs: Lateral mosfet vintage power amp?

                  On ikka väike erinevus, kas me räägime puhtalt bipolaartransistorist või tema rakendusest mingis skeemis.
                  Seda sa oled pannud tähele, et enamuses sinu pandud linkides on juttu kahtedest parameetritest, väikese signaal parameetritest ja suure signaali parameetritest. Väikese signaali parameetrite puhul (ka selles viimases videos) tehakse see lihtsustus, et eksponent on sirge kui teda väga väikses skaalas vaadelda ja saadakse nagu lineaarne Gm, mis aga absoluutses skaalas on ikkagi väga eksponentsiaalne erinevalt beetast, mis on suures skaalas üsna lineaarne.
                  viimati muutis kasutaja moi; 24 01 2017, 09:49.

                  Comment


                    #54
                    Vs: Lateral mosfet vintage power amp?

                    Hea küll, natuke vahepeal praktilisest poolest ka - sai siis HMA-7500MKII vahepeal lahti võetud, lüüdid vahetatud ja lülitid puhastatud (algne omanik väitis, et "hum in both channels") ja uuesti kokku pandud.Esmane mulje (võimendi veel laual jälgimisel-uurimisel) on, et kuularites mingit "hum"-i kosta ei ole - ilus vaikus.Tegin siis proovi RMAA-ga teda üle mõõta nagu seni oma teisi võimendeid (lõppvõimendeid kuulariväljundist 55-oomise koormusega) ja mingi genereerumine tekib signaalinivoo tõstmisel (kellade osutid ei lange signaali vahekohtades enam nulli, vaid jäävad skaala järgi ca -30dB kanti, signaal lööb sel hetkel ca -10 dB kanti).Natuke väiksem püsiv müranivoo (ca -35dB kellade järgi) tekib ka siis, kui sisendkaabel otse (vahepeale ühendatud nivooregulaatorpotest mööda minnes) helikaardi taha üendada ja selle mikserist nivoo nulli keerata. Kui kaablid helikaardi tagant ära tõmmata, langevad kellad nulli.Kui sellise genereerimise ajal klapid ka taha ühendada, siis nendes on vaikus s.t. genereerimine peab toimuma audiosagedustest kõrgematel sagedustel?Eks ma pean uurima, kuidas võimendi reaalse audioallika (eelvõimendi) taga käitub, aga parem oleks, kui ma ta kuidagi stabiilseks saaksin ...

                    Edit: Vastuse postitamisel olemas olnud reavahetused sööb foorumitarkvara mingil põhjusel postituse salvestamise käigus ära, nii et kogu jutt on "üks suur pudru". Seda nähtust nagu varem ei olnud.

                    Edit 2: tundub, et see genereerimine on kuidagi seotud helikaardiga - kui ahelasse eelvõimendi vahele lisada, siis sellist nähtust ei ilmne.
                    viimati muutis kasutaja madis64; 29 01 2017, 22:07. Põhjus: Lisandused

                    Comment


                      #55
                      Esmalt postitatud martk poolt Vaata postitust
                      Vs: Lateral mosfet vintage power amp?

                      Õnnestus Sanyo p-55 vanake ellu äratada.
                      Jõudevool on paariti tiba erinev - erinevus paaride õlgadel on 7-9 mV (nt ühel paaril 28mV vs 21mV, teisel paaril 34mV vs 25mV). Sanyo manualis kirjas, et jõudevoolu kontrollsumma peab olema 50mV , mis teeb iga L fet-i jõudevooluks ca 50-60mA.
                      Nüüd mõned aastad hiljem, kus mitmeid Sanyo p-55 vanakesi näpitud, olen jõudnud tulemini, et jõudevoolu erinevust paaride õlgadel vähendab kõige paremini lat fettide käsitsivalik.
                      Olen saanud erinevuseks +-2mV. Ja ainult Hitachi lat fettidega.
                      Siin ühe mehe pikem seletus, miks just hitachi (toetub Hafler võimule, aga pädeb ka Sanyo p-55 puhul :
                      HITACHI LATERAL P-CHANNEL and N-CHANNEL TO-3 MOSFETS
                      2SK176 200V 8.0A T0-3 "N" Use to replace 2SK134, 2SK135, 2SK175, QN112, QN113
                      2SJ56 200V 8.0A TO-3 "P" Use to replace 2SJ49, 2SJ50, 2SJ55, QP112, QP113
                      An especially popular parts item for us has always been the 1980s-1990s Hitachi -manufactured power output MOSFETs used in Hafler's famous line of amplifiers -- as well as in amplifiers from Tandberg, Perreaux, Hitachi, MOSCODE and Soundcraftsmen . Popular devices... but also now long out-of-production and very difficult to locate at anything resembling a sane price...Note: Devices marked with the same lot code sometimes implies similar performance... but not always so. That's why I test and match each device before.... The N-channel devices are matched to themselves; the P-channel devices to themselves. Matching the N's to the P's is not electrically required -- nor is it something Hafler ever did. (Looking at a sample Hafler-built Pro5000 board I have before me, the 2SJ56 mosfets are gate-rated "2" and the 2SK176 mosfets are gate-rated "4." In any case, gate number matching the N and P devices is not possible given the quantities of devices available to me. A personal tale of woe regarding modern "replacement" MOSFETs. Your Hafler amplifier circuits were specifically designed around the electrical characteristics of the Hitachi-produced MOSFETs -- not Exicon. In our experience with hundreds of DH500 and XL600 amplifiers, the use of "Exicon" branded substitute parts resulted in parasitic oscillations, higher distortion readings, and a myriad of circuit instabilities. This is not to say that Exicon parts are "defective" -- only that they are just different enough from the original Hitachi parts to cause some real headaches in Hafler circuits. We finally had to quit using Exicon because t appeared to be no circuit "band-aid" that could be universally applied to every unit. The .1uf capacitors that might arrest circuit oscillations in one DH500 did not arrest them in the next. To eliminate any doubt as to the source of these circuit ills, we could pull the Exicon devices out and replace them with original Hitachi, changing nothing else in the circuit, and the amplifier being tested would immediately become electrically stable. It would have been GREAT if the Exicon parts had worked for us. But they didn't. So we had to sell off our inventory of Exicon and return to using Hitachi only . T will come a day when these authentic Hitachi high-power MOSFETs are no longer availale from me. But that day is clearly not now! So why buy "replacement" devices when the original spec parts are still available... for only a bit more cost than the substitute parts? Spare yourself the frustration, expense, and aggravation I went through of trying to "make" an inexact aftermarket part work in your Hafler circuit.


                      Digital is like formaldehyde, first it kills the music, then it stores it forever.

                      Comment

                      Working...
                      X